卓水越反滲透純水設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用案例
作者：admin 發(fā)布日期：2025/11/14 關(guān)注次數(shù)：
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珠海市申科譜工業(yè)科技有限公司成都分公司采購(gòu)的四川卓水越品牌1000L反滲透型純水設(shè)備（型號(hào)ZYRO-D-1000L），其安裝流程嚴(yán)格遵循半導(dǎo)體行業(yè)超純水系統(tǒng)的高標(biāo)準(zhǔn)要求，具體步驟如下：
預(yù)處理系統(tǒng)安裝
采用粗過(guò)濾器與超濾裝置組合，有效去除原水中的膠體、懸浮物及部分有機(jī)物，確保SDI（污染指數(shù)）穩(wěn)定≤5，為后續(xù)反滲透工藝提供優(yōu)質(zhì)進(jìn)水。
超濾裝置因占地面積小、維護(hù)便捷，顯著降低了建筑成本與運(yùn)維難度。
反滲透系統(tǒng)調(diào)試
配置反滲透工藝，一級(jí)反滲透前增設(shè)SBS（抑垢劑）和MDC（微絮凝）裝置，防止膜結(jié)垢；確保產(chǎn)水電阻率≥15MΩ·cm。
系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，支持在線(xiàn)更換膜組件，保障半導(dǎo)體工廠連續(xù)生產(chǎn)。
深度處理與水質(zhì)保障
電去離子（EDI）模塊實(shí)現(xiàn)深度脫鹽，電阻率提升至≥18.2MΩ·cm，滿(mǎn)足半導(dǎo)體晶圓清洗與光刻工藝要求。
終端配置拋光混床及UV殺菌器（254nm波長(zhǎng)），徹底去除微生物與細(xì)菌，確保水質(zhì)符合SEMI F63標(biāo)準(zhǔn)。
系統(tǒng)驗(yàn)證與交付
完成72小時(shí)穩(wěn)定性測(cè)試，驗(yàn)證顆粒物釋放量、TOC（總有機(jī)碳）等核心參數(shù)達(dá)標(biāo)。
提供全周期運(yùn)維支持，包括定期巡檢、預(yù)測(cè)性養(yǎng)護(hù)及應(yīng)急故障處理，保障水質(zhì)與系統(tǒng)安全。
二、半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用價(jià)值
卓水越ZYRO-D-1000L反滲透純水設(shè)備在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮關(guān)鍵作用，具體應(yīng)用場(chǎng)景包括：
晶圓清洗與光刻工藝：超純水用于硅片氧化、光掩模版制備及化學(xué)機(jī)械拋光（CMP），確保無(wú)金屬離子（如Na?、K?≤0.01ppb）及顆粒物（≥0.05μm≤1個(gè)/mL）污染，提升器件良率。
蝕刻與薄膜沉積：嚴(yán)格控制氯離子（Cl?）、硫酸根（SO?2?）含量（<0.01ppb），防止金屬結(jié)構(gòu)腐蝕，保障集成電路可靠性。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)：滿(mǎn)足256兆位工藝對(duì)顆粒粒徑的嚴(yán)苛要求（≤0.1μm），避免晶圓表面劃傷，支持先進(jìn)制程發(fā)展。
三、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與合規(guī)性
設(shè)備設(shè)計(jì)嚴(yán)格遵循SEMI F63、ASTM D5127及GB/T 11446.1-2013標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)全參數(shù)在線(xiàn)監(jiān)測(cè)（電阻率、TOC、顆粒物等），并通過(guò)ISO 14644-1 Class 1潔凈度認(rèn)證，為半導(dǎo)體企業(yè)提供穩(wěn)定、合規(guī)的超純水解決方案。
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